[21p-146-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-146-13] 反応性スパッタ法を用いた無極性AlN薄膜成長における自己電圧効果の検討

〇(M2)立島 滉大^1,2、長田 貴弘²、石橋 啓次^2,3、高橋 健一郎^2,3、鈴木 摂^2,3、小椋 厚志¹、知京 豊裕² (1.明治大学、2.物質・材料研究機構、3.株式会社コメット)

キーワード：AlN、無極性、スパッタ

現在、グリーンギャップ問題などに対し、無極性面GaN及びAlNの成長が求められている。我々は、セルフバイアスで成膜する極性面成長に対し基板-ターゲット間をグラウンドに落としてバイアスを0にすることによって極性面の配向性を弱め、無極性面の配向性を強める事を考案した。本報告では、0バイアスによる配向制御の効果と、c軸配向制御のパラメーターとして用いられるN₂流量比の条件検討を行った。