[21p-146-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-146-15] InGaNにおける電気的特性の成長温度依存性

〇逸見 真広¹、今井 尚弘¹、山木 大樹¹、椿 康平¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：MBE、InGaN、電気的特性

GaNやInNなどの窒化物半導体は直接遷移型のバンドギャップを持ち、ヘテロ構造を利用できることから、様々な光デバイスや高出力デバイスに用いられている。そして、これらの窒化物半導体を低温で成長することができれば、その応用範囲をさらに広げることができる。そこで、本研究では、InGaNにおける電気的特性の成長温度依存性を調べた。