[21p-PB3-1~5] 13.5 デバイス／集積化技術

[21p-PB3-2] 多層ナノ粒子埋込V溝型Junction-less FETの作製と評価

〇番 貴彦¹、右田 真司²、上沼 睦典³、石河 泰明³、山下 一郎³、浦岡 行治³、山本 伸一¹ (1.龍谷大理工、2.産総研、3.奈良先端大)

キーワード：フローティングゲートメモリ、ナノ粒子