[21p-PB4-1~8] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[21p-PB4-3] Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

〇廣瀬 皓大¹、福山 聡史¹、熊谷 佳郎¹、利根川 啓希¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工学院)

キーワード：半導体、共鳴トンネルダイオード