[21p-PB6-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-PB6-1] AR-XPSによる4H-SiC (0001) on-Axis, 4° Off-Axis基板の初期酸化過程の解明 ２

桑原 麻優¹、佐野 良介¹、荒井 仁¹、佐野 泰久²、〇野平 博司¹ (1.東京都市大工、2.阪大院工)

キーワード：SiO2/SiC、AR-XPS

角度分解X線光電子分光法(AR-XPS)を用いて4°オフ基板およびSiO₂/4H-SiC (0001) (Si-face)構造の熱酸化に伴う化学結合状態の変化を調べた。その結果、どちらの基板においても、Si³⁺の量が、酸化膜厚が約0.9nmで最大、その後減少し酸化膜厚約1.1nmでSi³⁺の量が最小となり、その後再び増加することが観測された。詳細な解析結果は当日報告する。