[21p-PB6-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [21p-PB6-3] 歪みによるSiCのバンドギャップ変調に関する理論的計算

〇(DC)長川 健太¹、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：SiC、歪み、バンドギャップ

SiCは結晶多型が多く存在しており、それぞれがユニークなバンドギャップを有している。半導体材料では歪みよりバンドギャップが変化するため、結晶多型によりそれぞれどのように変化するかを調べた。等方歪みに対してはあまりバンドギャップは変化しないが、二軸歪みに対しては大きくバンドギャップが変調し、多型や歪みを加える面により傾向が異なることが明らかになった。