16:00 〜 16:15 [18p-F206-9] 反転型ダイヤモンドMOSFETのデバイスシミュレーション 〇宮崎 久生1、酒井 忠司1、松本 翼2,3、加藤 宙光3、牧野 俊晴3、小倉 政彦3、徳田 規夫2,3、山崎 聡3 (1.東芝研究開発センター、2.金沢大、3.産総研)