11:00 〜 11:15 △ [19a-B201-6] Si基板上inverted-rib構造Ge選択成長層における貫通転位密度低減 〇(DC)八子 基樹1、石川 靖彦2、和田 一実1,3 (1.東大院工、2.豊橋技科大、3.マサチューセッツ工大)