10:15 〜 10:30 [17a-C303-2] 電界誘起層形成法におけるCNTの平均ゼータ電位の半導体SWCNT抽出効率への寄与 〇井原 和紀1、沼田 秀昭1、佐々木 扶紗子2、二瓶 史行1、弓削 亮太1、遠藤 浩幸1 (1.NEC、2.単層CNT融合新材料研究開発機構)