16:00 〜 18:00 [18p-P14-6] 4H-SiC エピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上 赤堀 周平1、古川 頼誉2、松下 雄一郎2、大島 武3、〇土方 泰斗1 (1.埼玉大院理工、2.東京大院工、3.量研)