13:30 〜 15:30 [20p-P6-13] Si基板上GaN層の応力に対するAlN中間層の成長温度依存性 〇(B)有井 知良1、中原 拓也2、出浦 桃子2、百瀬 健2、杉山 正和3、中野 義昭2、霜垣 幸浩2 (1.東大工、2.東大院工、3.東大生産研)