14:00 〜 14:15 △ [18p-E202-3] Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶成長面制御による格子定数の均一化 〇今西 正幸1、村上 航介1、垣之内 啓介1、中村 幸介1、今出 完1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)