14:00 〜 14:15 [20p-E201-5] ミストCVD 法によりGaCl3 原料を用いて成長したα-Ga2O3 の成長反応機構 〇神野 莉衣奈1、吉村 暢浩2、金子 健太郎1、藤田 静雄1 (1.京大院工、2.京大工)