16:15 〜 16:30 [18p-B203-12] Si基板上へのPbCaS/PbSダブルへテロ構造の作製と光励起レーザ発光特性 〇石田 明広1、稲葉 翔大1、橋口 慎太郎1、秋川 弘樹1、中嶋 聖介1 (1.静大工)
16:30 〜 16:45 [18p-B203-13] Si基板上への電流注入型IV-VI族半導体中赤外レーザ作製に向けた半導体ヘテロ界面バンドオフセットの検討 〇石田 明広1、山岸 寿来1、稲葉 翔太1、中嶋 聖介1 (1.静岡大工)