[17a-C303-1~8] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[17a-C303-2] 電界誘起層形成法におけるCNTの平均ゼータ電位の半導体SWCNT抽出効率への寄与

〇井原 和紀¹、沼田 秀昭¹、佐々木 扶紗子²、二瓶 史行¹、弓削 亮太¹、遠藤 浩幸¹ (1.NEC、2.単層CNT融合新材料研究開発機構)

キーワード：カーボンナノチューブ、半導体・金属分離、印刷エレクトロニクス

優れた電気的特性を持つ単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は，その合成時の金属・半導体性の混合が電子デバイス応用において課題とされる．これまでに我々はNa⁺などの金属イオン種がプロセス内に含まれず，半導体のチャネル材料としてのSWCNTの使用に適した「電界誘起層形成法(ELF法)」による金属・半導体性SWCNT分離手法を提案してきた．本講演では，本分離手法における分散溶液中のSWCNTミセルの平均ゼータ電位の分離効率への影響について述べる．