[17a-D101-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[17a-D101-5] PECVD法を用いたシリコン量子ドット積層構造作製におけるバリア層の構造・光学特性評価

〇(B)赤石 龍士郎¹、北沢 宏平¹、小野 聖¹、加藤 慎也²、後藤 和泰¹、宇佐美 徳隆¹、黒川 康良¹ (1.名大院工、2.名工大院工)

キーワード：太陽電池、シリコン量子ドット、シリコン量子ドット超格子

本発表ではSiH₄とCO₂を用いたプラズマCVD法によりSiO_x膜を作製し、900 ℃アニール後のシリコンナノ結晶の形成状態を評価した。ラマン散乱測定から算出した結晶化率は減少したが、これは酸素濃度の増加による核形成確率の低下が一因であると考えられる。エリプソメトリ法で算出した光学ギャップは酸素濃度の増加につれて大きくなった。この結果からシリコン量子ドット積層膜を作成する際のバリア層組成とドット層組成を検討できた。