2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料

[17p-B403-1~17] 3.5 レーザー装置・材料

2018年3月17日(土) 13:15 〜 18:00 B403 (53-403)

鈴木 将之(愛知医大)、佐藤 庸一(分子研)、宇野 和行(山梨大)

16:00 〜 16:15

[17p-B403-11] Yb:FAP異方性セラミックスによるkW級レーザーパルス

佐藤 庸一1、秋山 順1、平等 拓範1 (1.分子研)

キーワード:レーザーセラミックス、電磁誘導プロセッシング、配向制御

回転磁場配向制御により、超高出力レーザー媒質として期待される異方性材料Yb:Ca35(PO4)3F(Yb:FAP)のセラミックレーザーを実現した。Cr:YAGを用いたQスイッチにより、媒質の単位体積当たりからのエネルギー取り出し密度0.53 J/cm3で2.3 kWのnsパルスを得たが、これは8.1 kHzに相当する繰り返し周波数を考慮すれば全世界の巨大レーザー施設と比べても遜色はないものである。