2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[17p-C103-1~13] 6.4 薄膜新材料

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:00 C103 (52-103)

中村 吉伸(東大)、鈴木 基史(京大)

17:45 〜 18:00

[17p-C103-13] 原子ステップ型超平坦ポリマー基板上でのフレキシブル酸化物p/n薄膜の作製と特性評価

岩佐 健1、木下 太一郎1、中村 稀星1、金子 智2,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大物質理工、2.神奈川県産総研)

キーワード:フレキシブルデバイス、ポリイミド、p/n酸化物半導体

我々は,サファイアをモールドとした熱ナノインプリント法によるPIシート表面への周期的原子ステップ転写形成や,これを超平坦基板とした酸化物単層薄膜の成長について報告してきた。本研究では,表面平坦なポリマー基板を用いたp/n酸化物半導体の構築とフレキシブルデバイスとしての応用を検討するため,単原子スケールパターンを持つポリイミド基板表面への半導体薄膜の成長,形状変化が電気特性に与える影響について検討した。