2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[17p-C103-1~13] 6.4 薄膜新材料

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:00 C103 (52-103)

中村 吉伸(東大)、鈴木 基史(京大)

16:15 〜 16:30

[17p-C103-7] [講演奨励賞受賞記念講演] NbHx (0 ≤ x < 1)エピタキシャル薄膜の構造相転移と電子伝導特性

笹原 悠輝1、清水 亮太1,2、小倉 正平3、西尾 和記1、杉山 一生1、大口 裕之4、福谷 克之3、折茂 慎一4,5、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東大生産研、4.東北大AIMR、5.東北大金研)

キーワード:金属水素化物、構造相転移、エピタキシャル成長

金属水素化物は高温超伝導などの興味深い物性を示すことから、エレクトロニクス材料への応用が期待されている。そのような中で、我々はTiH2エピタキシャル薄膜の伝導キャリアの種類が膜内水素量に依存して変化することを明らかにしてきた。このように、金属水素化物の物性研究には、水素量を規定した物性の理解が重要である。本研究では、水素量に応じて複雑な低温構造を持つNbHxに着目し、その膜内水素量に依存した伝導特性を評価した。