2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[17p-C103-1~13] 6.4 薄膜新材料

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:00 C103 (52-103)

中村 吉伸(東大)、鈴木 基史(京大)

16:45 〜 17:00

[17p-C103-9] 反応性マグネトロンスパッタ法を用いたYH2エピタキシャル薄膜の配向制御

〇(B)小松 遊矢1、清水 亮太1,2、笹原 悠輝1、西尾 和記1、大口 裕之3、折茂 慎一3,4、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東北大AIMR、4.東北大金研)

キーワード:金属水素化物、エピタキシャル薄膜、配向制御

超高圧下の硫化水素における高温超伝導(転移温度203 K)の報告以降、金属水素化物の物性への関心が高まっている。水素化イットリウム(YHx)は水素含有量により金属-絶縁体転移を示す興味深い物質だが、詳細な物性研究に必要な方位制御はなされていない。本研究では、YH2の(100)および(111)エピタキシャル薄膜を反応性マグネトロンスパッタ法によって作製し、その配向制御に成功したので報告する。