[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-1] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)

〇秩父 重英¹、小島 一信¹ (1.東北大多元研)

キーワード：窒化アルミニウムンジウム

AlInN混晶の禁制帯幅波長は、深紫外線から赤外線まで及んでおり、各種発光素子への応用が考えられる。しかしながら高品質結晶成長が困難なため、AlInNを活性層とする素子の研究は殆ど無い。我々は、c面量子井戸の短所（分極不連続により井戸内に生じる強い電場の影響）を排除すべく、m面自立GaN基板にAlInN薄膜をMOVPE成長させ、可視・DUV偏光蛍光表示管の試作を行ってきた。本講演では、約500 nm厚のAl_0.70In_0.30N/GaN構造の高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法による解析結果を紹介し、自然超格子構造の出現と、光学特性との関係について議論を行う。