2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月17日(土) 13:15 〜 18:30 E202 (57-202)

岩谷 素顕(名城大)、本田 善央(名大)、齋藤 義樹(TSオプト)

17:00 〜 17:15

[17p-E202-14] GaN成長に用いたScAlMgO4基板の再利用

〇(M1)大西 一生1、窪谷 茂幸1、谷川 智之1、福田 承生2、松岡 隆志1 (1.東北大金研、2.(株)福田結晶)

キーワード:窒化物半導体、GaN、ScAlMgO4