[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-1] 超高速成長GaAsの低温フォトルミネセンス特性

〇生方 映徳¹、相原 健人²、ハサネット ソダーバンル³、大島 隆治²、菅谷 武芳²、矢野 良樹¹、田渕 俊也¹、松本 功¹、中野 義昭⁴、杉山 正和³ (1.大陽日酸㈱、2.産業技術総合研究所、3.東大先端研、4.東大院工)

キーワード：フォトルミネセンス特性、高速成長、GaAs

高効率太陽電池の低コスト化を目的としてスループットの改善に取り組んでいる。講演では成長速度80 micron/h、V/III比を変化させたGaAsの低温フォトルミネセンススペクトルについて述べる。
結晶成長は、減圧横型MOCVD装置を用いた。リアクタ設計の改良により、GaAsの成長速度は70 micron/hまで原料供給量に対してリニアに増加し、最大成長速度は90 micron/hに達することを確認した。V/IIIを変化しても光学的に大きな差が無いことが示された。