[17p-F314-1~13] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

△ [17p-F314-10] p型シリコン量子ドットにおけるg因子のトップゲート電圧依存性

〇(M2)島谷 直樹¹、山岡 裕¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大)

キーワード：シリコン量子ドット