[17p-F314-1~13] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[17p-F314-7] コア・シェル２重ゲート構造を有するInAsナノチューブFET

〇佐々木 智¹、舘野 功太¹、Zhang Guoqiang¹ (1.NTT物性研)

キーワード：ナノチューブ、InAs、電界効果トランジスタ

gate-all-around型FETの特性を改善する手法として、ナノチューブ状チャネルの内側にコアゲートを増設したコア・シェル2重ゲート構造が理論提案されている。今回我々は、InP/InAsコアシェルナノワイヤのInPコアを選択エッチングによって除去した後に、Al₂O₃絶縁膜とZnO導電膜をALDで堆積することによってコア・シェル２重ゲート構造FETを実現し、On/Off比の改善を確認した。