[17p-P1-1~12] 1.1 応用物理一般・学際領域

[17p-P1-11] 自然酸化AlGaOx最外殻とGaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いたGaAsナノワイヤパッシベーション構造の作製

〇(M1)津田 眞¹、石川 史太郎¹ (1.愛媛大理工)

キーワード：半導体、ナノワイヤ、GaAs

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体GaAsを用いたナノワイヤは、単一のナノワイヤそのものがレーザとして機能するなど、高い発光効率を有している。一方、同材料は表面非発光再結合の影響が顕著であり、これを抑制する試みが種々行われている。今回我々はAlGaAs/GaAsコアシェルナノワイヤの作製において、AlGaAs層を自然酸化させ、さらにその内部にもAlGaAsパッシベーション層を成長することを試みた。作製したナノワイヤに対して評価を行った結果を報告する。