[17p-P10-1~93] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[17p-P10-13] Annealing effect on magnetic anisotropy and its voltage modulation of FeIr/MgO

〇長谷部 晶大¹、繩岡 孝平¹、Joko Surwady¹、後藤 穣^1,2、鈴木 義茂^1,2、三輪 真嗣^1,2 (1.大阪大学、2.CSRN)

キーワード：スピントロニクス、電圧誘起磁気異方性変調、スピン軌道相互作用

磁気抵抗効果を用いたメモリデバイスの実現には、大きな界面磁気異方性と界面磁気異方性の電圧制御による効率的な磁化の電気的制御が重要である。スピン軌道相互作用が大きなIrをFe/MgO系に適用すると磁気異方性及びその電圧制御量が増大することが最近報告された[1]。そこで本研究ではFe/Ir/MgO多層膜の磁気異方性及び電界磁気異方性変化(VCMA)のポストアニール温度依存性を評価することにより、Irが磁気特性に及ぼす影響の評価を試みた。