2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2018年3月17日(土) 16:00 〜 18:00 P12 (ベルサール高田馬場)

16:00 〜 18:00

[17p-P12-3] Cl2およびBCl3を用いたICP-RIEによるGaN表面粗さへの影響

宇崎 滉太1、今熊 豪1、新海 聡子2 (1.九工大、2.九工大マイクロ化)

キーワード:窒化ガリウム、ドライエッチング、表面粗さ