[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-8] リモートプラズマによって酸化されたn-GaNのPL特性

〇高田 昇治¹、山本 泰史^1,2、田岡 紀之²、大田 晃生¹、グェンスァン チュン^1,2、山田 永²、高橋 言緒²、池田 弥央¹、牧原 克典¹、清水 三聡¹、宮崎 誠一¹ (1.名大院工、2.産総研GaN-OIL)

キーワード：GaN、フォトルミネッセンス、欠陥

SiドープされたGaN表面のリモートプラズマによる酸化過程およびその界面構造を理解するために、フォトルミネッセンス法を用いて特性評価を行った。酸化していない試料および500℃で酸化した試料と比較して、300℃の場合にGa空孔等が起源とされるYellowバンドの強度が低いことを示した。GaN表面近傍の欠陥密度が酸化処理によって、変化していると推測される。本研究の一部はNEDOの委託により実施された。