[17p-P3-1~22] 3.13 半導体光デバイス

[17p-P3-14] 波長掃引光源用InAs量子ドットベース利得チップの作製と特性評価

〇(M1)尾上 克也¹、生野 大吾¹、山内 翔¹、尾崎 信彦¹、大里 啓孝²、渡辺 英一郎²、池田 直樹²、杉本 喜正²、古城 健司³、及川 陽一³、宮地 邦男³、Childs D. T. D.⁴、Hogg R. A.⁴ (1.和歌山大シス工、2.物材機構、3.シンクランド(株)、4.グラスゴー大)

キーワード：光干渉断層系、InAs量子ドット、波長可変光源