[17p-P3-1~22] 3.13 Semiconductor optical devices

[17p-P3-21] Cavity length dependence on threshold current density of 1.5µm wavelength GaInAsP stripe laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇(B)Hiromu Yada¹, Naoki Kamada¹, Yuya Onuki¹, Han Xu¹, Gandhi Kallarasan Periyanayagam¹, Masaki Aikawa¹, Kazuki Uchida¹, Hirokazu Sugiyama¹, Natsuki Hayasaka¹, Shigemasa Sato¹, Masaki Matsuura¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Laser diode, InP/Si, Direct bonding

​​ 今後見込まれるデータ通信量の増大に対応するために，シリコンフォトニクスに関する研究が近年盛んに行われている．当研究室では，薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し，その基板上にMOVPE法を用いて光デバイスを集積する手法を提案してきた．今回，InP/Si基板に1.5µm帯GaInAsPストライプレーザを集積して，電流注入による発振特性，共振器長に関する評価を行ったので，その結果を報告する．