2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-P7-1~21] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月17日(土) 13:30 〜 15:30 P7 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-18] 金スタッドバンプを用いた集積回路の3次元接続評価

伊藤 結1、秋山 正弘1 (1.長野高専)

キーワード:半導体、集積回路

本研究は、集積回路同士を積み重ねて実装する3次元実装技術によって、半導体デバイス内の素子の数を示す集積度を向上させることが目的である。集積回路同士を接合するために、金スタッドバンプと異方性導電材料を用いたChip on Chip構造の3次元接合を製作した。その3次元接合について4端子法による特性測定とチップ断面の観察を行って電極間の接続の可否を確認し、特性の変化がないCoC構造の3次元接合を目指した。