[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [17p-P8-9] 三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形微分コンダクタンスの解析

〇中西 真崇¹、奥村 直人²、須原 理彦²、浅川 澄人³ (1.首都大・都市教養、2.首都大院理工、3.都立産技高専)

キーワード：三重障壁共鳴トンネルダイオード、非線形微分コンダクタンス、ローレンツ関数

三重障壁共鳴トンネルダイオード（RTD）で高次の非線形微分コンダクタンスGn（n = 1,2,3）を電流 - 電圧特性の実測値から解析した。 Gnの大きさは、バイアス電圧を変化させると変化する。各Gnはローレンツ型の共鳴準位幅広がりを考慮した電流 - 電圧特性の理論式のテイラー展開によって導出した。非線形微分コンダクタンス効果の高次成分はテラヘルツ領域における緩和振動などのRTDの動的特性に影響する。