[18a-B303-6~9] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[18a-B303-9] アップテーパ導波路構造を有する(Pb,La)(Zr,Ti)O₃(PLZT)光変調器における半波長電圧及び結合損失の低減効果

〇原 英生¹、阿部 峻佑¹、城市 知輝¹、増田 伸¹ (1.アドバンテスト研)

キーワード：PLZT、光変調器

光通信やイーサネットの大容量化に伴い、更なる光変調器の性能向上が求められている。これまでEO係数が100 pm/V以上と高い強誘電体の(Pb,La)(Zr,Ti)O₃(PLZT)を用いた高速光変調器を報告した。一般に半波長電圧 (Vp) は電極長を長くすると減少し、変調帯域は電極長を短くすると増加する関係がある。本報告では、変調帯域の劣化と結合損失の増加を抑制し、Vpを低減するアップテーパ導波路構造を用いたPLZT光変調器について報告する。