[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-C302-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Franz-Keldysh効果によるサブバンドギャップ光吸収を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の測定

〇前田 拓也¹、成田 哲生²、兼近 将一²、上杉 勉²、加地 徹³、木本 恒暢¹、堀田 昌宏¹、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中央研究所、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)

キーワード：GaNパワーデバイス、アバランシェ増倍、Franz-Keldysh効果

本研究では，サブバンドギャップ光照射下におけるGaN p-n接合ダイオードの光電流について高電圧まで測定を行った．低電圧域ではFranz-Keldysh (FK)効果による光電流で定量的に説明できるが，高電圧域では実験値が計算値を大きく上回った．これは，空乏層内で生じた電子・正孔の衝突イオン化によるアバランシェ増倍が生じたことによると考えられる．発表では，そのアバランシェ増倍係数について詳細な議論を行う．