[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-C302-4] GaN 自立基板上 pn ダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性

〇(DC)宇佐美 茂佳¹、福島 颯太¹、安藤 悠人¹、田中 敦之^2,3、永松 謙太郎²、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,4,5 (1.名大院工、2.未来材料・システム研究所、3.物材研、4.赤﨑記念研究センター、5.VBL)

キーワード：pnダイオード、逆方向リーク電流、エミッション顕微鏡