[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-C302-7] Ga₂O₃保護膜による縦型GaNダイオードの耐圧向上

〇上岡 義弘¹、出来 真斗²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.出光興産、2.名大 未来材料・システム研、3.名大 赤﨑記念研究センター、4.名大 ベンチャービジネスラボラトリ)

キーワード：窒化ガリウム、ダイオード、酸化ガリウム