2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[18a-D101-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年3月18日(日) 09:00 〜 11:45 D101 (56-101)

國井 稔枝(パナソニック)、中田 和吉(東工大)

09:30 〜 09:45

[18a-D101-3] B Cat-doped a-Si:H層をもつSiヘテロ接合太陽電池

秋山 勝哉1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)

キーワード:Cat-doping

Catドーピング法は、加熱触媒体線でのガスの接触分解により生成したラジカルに試料を曝すことで、P、B原子のドーピングを行う手法である。本研究ではまず、a-Si:H/ITO接合の電気特性を調査し、ITO膜を200℃で形成し、かつB Catドーピング時に水素を添加した場合に、a-Si:H/ITO界面におけるトンネル伝導がより効率的に行われることを見出した。これに基づいてB Catドープ層をもつSHJ太陽電池を作製したところ、変換効率12.6%を得ることに成功した。