[18a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E202-1] OVPE法を用いたGaN育成におけるNH₃/H₂比の多結晶形成への影響

〇津野 慎太郎¹、郡司 祥和¹、山口 陽平¹、石橋 桂樹¹、北本 啓¹、今西 正幸¹、今出 完¹、吉村 政志¹、伊勢村 雅士²、隅 智亮³、滝野 淳一^1,3、岡山 芳央^1,3、信岡 政樹³、森 勇介¹ (1.阪大工、2.伊藤忠プラスチックス(株)、3.パナソニック(株))

キーワード：窒化ガリウム、OVPE

Ga源としてGa₂Oガスを用いるOVPE法では、固体の副生成物が生成しないため、原理的に長時間の育成が可能である。しかし現状、長時間成長の過程でGaN基板表面に多結晶が発生するために、成長速度や結晶性が悪化する問題がある。そこで、本研究ではNH₃とH₂の流量比が多結晶形成に与える影響について調査した。