2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月18日(日) 09:00 〜 11:45 E202 (57-202)

岡田 成仁(山口大)、新田 州吾(名大)

11:30 〜 11:45

[18a-E202-10] 高指向性マイクロLEDに向けたGaN六角錐台微小構造の作製(2)

〇熊谷 直人1、高橋 言緒1、Cong Guangwei1、王 学論1、清水 三聡1 (1.産総研)

キーワード：窒化物半導体、有機金属気相成長法、選択成長