[18a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E202-2] OVPE法を用いたGaN結晶成長におけるメタン添加の効果

〇北本 啓¹、山口 陽平¹、津野 慎太郎¹、石橋 桂樹¹、郡司 祥和¹、今西 正幸¹、今出 完¹、吉村 政志¹、伊勢村 雅士²、隅 智亮³、滝野 淳一^1,3、岡山 芳央^1,3、信岡 政樹³、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.伊藤忠プラスチックス（株）、3.パナソニック（株）)

キーワード：窒化ガリウム

Ga源としてGa₂​Oガスを用いるOxide Vapor Phase Epitaxy(OVPE)法では、固体の副生成物が生成しないため原理的に長時間の成長が可能である。しかし本手法では、副生成物として発生するH₂​Oが結晶性の悪化や多結晶密度増加の要因となっている。そこで本研究では、育成環境中のH₂O分圧低減のためCH₄​を添加し、結晶性改善効果の検討及び厚膜化を実施した。