2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月18日(日) 09:00 〜 11:45 E202 (57-202)

岡田 成仁(山口大)、新田 州吾(名大)

10:45 〜 11:00

[18a-E202-7] HVPE法による(000<span style="text-decoration:overline;">1</span>)面GaN基板上へのGaN厚膜成長

加納 聖也1、谷川 智之2、向井 孝志1、松岡 隆志2 (1.日亜化学、2.東北大金研)

キーワード:HVPE、GaN