[18a-F206-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18a-F206-2] ヘテロエピタキシャル核形成プロセスにおけるバイアス電流のモニタリング

〇星野 晴華¹、矢板 潤也¹、岩崎 孝之¹、波多野 睦子¹ (1.東工大工)

キーワード：ダイヤモンド、ヘテロエピタキシャル成長、バイアス促進核形成法

バイアス促進核形成法による3C-SiC/Si上のダイヤモンドの核形成では、エピタキシャル形成が困難である。よって、本研究では、核形成の際のバイアス電流を観察し、3C-SiC上へのダイヤモンドのエピタキシャル核形成が促進される条件を検討した。