[18a-F206-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18a-F206-6] (111)ボロンドープダイヤモンドの薄層での超伝導転移温度の向上

〇(B)天野 勝太郎¹、日出幸 昌邦¹、蔭浦 泰資¹、露崎 活人¹、高野 義彦²、立木 実²、大井 修一²、川原田 洋^1,3 (1.早稲田大学、2.物質・材料研究機構、3.早大材研)

キーワード：超伝導、ダイヤモンド、薄層

マイクロ波プラズマ化学気相堆積(MPCVD)法によって合成した超伝導ダイヤモンドは高温高圧合成に比べて超伝導転移温度Tcが高い傾向にある。一方で成長初期のボロン取り込み効率が課題で、200nm以下の薄層ではTcの低下がみられた。本研究では微細加工化に向けてボロン供給法の改善を行い、120nmで厚膜同等のTc=10.1K、42nmの薄層でもTc=7.8Kと従来手法より高い値が得られた。膜厚依存理論式やSIMS結果から成長初期のボロン取り込み効率の向上が示唆された。