2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[18a-G203-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:15 G203 (63-203)

右田 真司(産総研)

10:00 〜 10:15

[18a-G203-5] MOS-Gated Thyristorの電圧ベース等価回路モデルを用いた急峻スロープPN-Body Tied SOI FETのパラメータ依存性の検討

〇(M2)植田 大貴1、竹内 潔1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)

キーワード：急峻サブスレッショルドスロープ、PN-body tied SOI FET、MOS-gated thyristor