[18a-P7-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18a-P7-14] PbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタの硫化アンモニウム処理条件の検討

〇(M1)竹市 祐実¹、宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：PbSコロイダルナノドット、硫化アンモニウム処理、電界効果トランジスタ

半導体コロイダルナノドット(CND)は、直径数ナノメートルの半導体ナノ結晶の表面に有機分子が配位した構造を持っており、溶液プロセスを用いて成膜することができる。本研究では、濃度の異なる硫化アンモニウム溶液に浸漬させて配位子を除去したPbS CND薄膜を用いて電界効果トランジスタを作製した。硫化アンモニウム溶液の濃度が上昇するにしたがってキャリア移動度が向上し、最大キャリア移動度1.1×10^-2 cm²V^-1s^-1が得られた。