[18a-P7-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18a-P7-22] ペンタセンMIS型素子における静電容量-電圧特性の素子構造依存性

〇金 天明¹、山本 亮¹、野田 啓¹ (1.慶應義塾大学理工学部電子工学科)

キーワード：ペンタセン、C-V測定、キャリア密度

金属／絶縁膜／半導体（MIS）構造における静電容量－電圧特性（C－V特性）測定は、半導体膜におけるキャリア密度（ドーパント濃度）を簡易的に評価する手段として用いられている。有機材料を用いたMIS構造を測定試料とする際には、その素子構造を注意深く検討する必要がある。本研究ではペンタセンを用いたMIS構造におけるC－V特性に対して、その素子構造や測定バイアス条件が与える影響について調査を行った。