[18p-A202-1~15] デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望

[18p-A202-6] 量子効果を考慮した半導体デバイスシミュレーション

〇森 伸也¹、美里劫 夏南¹、鍾 菁廣¹、牧平 真太朗¹、鎌倉 良成¹、岩田 潤一²、押山 淳² (1.阪大院工、2.東大院工)

キーワード：半導体、デバイスシミュレーション、量子輸送

極微細トランジスタや，非常に高い電界下の半導体におけるキャリア輸送には，量子力学的な効果が重要な役割を演じる．さらに，近年，トンネル効果などの量子効果を積極的に利用したデバイスの開発も進められている．本講演では，デバイスシミュレーションにおいて量子効果を考慮する手法のいくつかを概説した後，現在，我々が取り組んでいる研究の内容を紹介し，量子輸送半導体デバイスシミュレーションの将来展望について述べる．