[18p-A204-1~17] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

△ [18p-A204-11] 電解質ゲート型有機電界効果トランジスタの閾値電圧制御

〇南木 創^1,2、相子 美智雄¹、南 豪¹ (1.東大生研、2.学振PD)

キーワード：有機トランジスタ、電解質、閾値電圧

電解質ゲート型有機電界効果トランジスタ (EGOFET) は，電解質物質が構成する電気二重層 (EDL) に由来した低電圧駆動性を示す．このため，EGOFETを基本単位とする電子回路により低消費電力な電子デバイスの実現が期待できる．電子回路特性は，構成する各トランジスタの閾値電圧に影響されることから，EGOFETの簡便な閾値電圧制御法の確立が重要となる．我々は，EGOFETの閾値電圧が，適用する電解質種の系統的変化に対応して制御され得ることを見出した．