[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-C102-1] Si基板上のスパッタ堆積Si酸化膜の抵抗変化機構の考察

〇大村 泰久¹、山口 凛太郎¹、佐藤 伸吾¹ (1.関西大)

キーワード：シリコン酸化膜、スパッタ堆積、Si 析出物

単結晶Si基板上にスパッタ堆積したシリコン酸化膜の抵抗変化機構に関する新しい見解を示す。サブオキサイドの存在がが主要な条件ではなく、金属シリコン析出物が必要であることを示す。